Optische Profilometer sind ideale Metrologiewerkzeuge bei der Entwicklung und Produktion von mikrostrukturierten MEMS-Bauteilen aus Silizium. Das Weisslicht-Interferometer misst Oberflächenrauhigkeit, Strahlablenkung oder Membranspannung im sub-µm Bereich und Stufenhöhen bis zu einigen Millimetern.
Das Mess-verfahren erfüllt die in der MEMS-Herstellung geforderten Spezifikationen, die meist einfacher als in der Halbleiter-Industrie sind.
Konventionelle Oberflächenmessgeräte können dafür aber nicht mehr eingesetzt werden. Die Wafer-Prozesstechnologie mit ihren hohen Durchsatzraten bildete die Schlüsselfunktion für die erfolgreiche Kommerzialisierung von MEMS-Bauteilen. Heute gibt es eine grosse Vielfalt von Prozesswerkzeugen für die MEMS-Waferbearbeitung von der Forschung und Entwicklung bis hin zur Herstellung. Diese beinhaltet: Wafer-Bondsysteme, Geräte für die präzisen Waferausrichter, Anlagen zur Beschichtung von Wafern auf beiden Seiten mit Photoresist, RIE Ätzanlagen und integrierte Prozess-Cluster-Anlagen. Zur Unterstützung dieser neuen Technologien wurden neue metrologische Methoden und Anlagen entwickelt, um für eine unbezahlbare Prozessüberwachung zu sorgen. Im letzten Jahrzehnt – als Teil des Wachstumprozesses von MEMS-Bauteilen und Prozesstechnologie – wurden diese Metrologiewerkzeuge verfügbar, nicht nur um grundsätzlich die dazugehörige Forschung und Entwicklung, sondern auch die Großserienherstellung von mikroproduzierten Produkten aus Silizium zu fördern. Ein Artikel, der die Anwendung von optischen interferometrischen Methoden für die MEMS-Prozessentwicklung und Prozesskontrolle diskutiert, kann kostenlos angefordert werden.
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