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Neue Möglichkeiten für die Chip-Inspektion

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Neue Möglichkeiten für die Chip-Inspektion

Gegenwärtig stellen mehr und mehr Halbleiterfirmen ihre Prozesse in der Produktion auf 0,18 µm Linienbreite um. Innerhalb der nächsten drei Jahre werden als neuer Standard Linienbreiten von 0,13 µm erwartet. Das stellt neue Anforderungen an die Inspektion und Kontrolle in der Chip-Produktion. Mit den herkömmlichen mikroskopischen Verfahren lassen sich Strukturen bis etwa 0,25 µm im sichtbaren Licht erkennen und auflösen. Mit konfokaler Weißlicht-Mikroskopie verschiebt sich diese Grenze zu Strukturgrößen bis 0,18 µm.

Das Mikroskop Axiotron DUV erlaubt eine Auflösung bis hin zu 0,08 µm. Es arbeitet bei zwei Wellenlängen, der I-Linie (365 nm) oder im Deep-UV (248 nm). Da Glas zwar noch bei 365 nm, aber nicht mehr bei 248 nm transmittiert, wurde Quarz-Optik eingesetzt. Für eine schnelle Übersicht über das Objekt lässt sich weiterhin standardmässig sichtbares Licht in Verbindung mit binokularem Einblick nutzen. Durch seinen modularen Aufbau kann das Axiotron DUV in einer vereinfachten Variante mit sichtbarem Licht und nur bei 365 nm eingesetzt werden. Es ist mit einem konfokalen Laser-Scanner-Modul für 364 nm nachrüstbar. Extreme Streulichtreduzierung und UV-Licht zur höheren Auflösung liefern sehr kontrastreiche Bilder im Bereich kleinster Strukturen bis etwa 0,10 µm.
Da das Axiotron DUV ausschließlich für Wafergrößen bis zu 200 mm konzipiert ist, wurde für 300 mm Wafer das Deep-UV-fähige Mikroskop Axiotron 300 entwickelt. Dieses System ist sowohl mit allen herkömmlichen optischen Techniken als auch mit I-Linie und Deep-UV Optik ausgerüstet. Mit integrierter Waferbe- und Entladungsstation kann es als vollautomatisiertes Deep-UV-fähiges 300 mm Inspektions- und Reviewsystem Axiospect 300 eingesetzt werden.
Für den hohen Durchsatz im Produktionsbereich wurden spezielle hochauflösende Trockenobjektive entwickelt. Diese sind für die entsprechende Arbeitswellenlänge Deep-UV oder I-Linie optimiert und haben eine hohe numerische Apertur von 0,95. Dicht gepackte Leiterbahnen, zu deren Beobachtung die Methoden der konventionellen Mikroskopie nicht mehr ausreichen, können nun mit minimiertem Aufwand im UV untersucht werden.
A QE 406
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