Eine Weltneuheit sind diese positionsempfindlichen Phototransistoren. Während konventionelle Si-PIN PSDs (positionsempfindliche Detektoren) eine nicht für alle Anwendungen ausreichende Empfindlichkeit haben, basiert die neue Serie ES-PSD auf Phototransistoren. Dadurch steigt die Lichtempfindlichkeit um Faktoren. Diese Sensoren eignen sich deshalb für Anwendungen, bei denen nur sehr kleine Lichtintensitäten zur Verfügung stehen oder für augensichere Messsysteme. Zunächst stehen zwei Typen zur Verfügung:
Der Typ 1L10ES hat eine aktive Fläche 10,0 x 2,0 mm². Die Empfindlichkeit beträgt 3 A/W, die Anstiegszeit liegt bei typ. 2 µs.
Der Typ 2L10ES hat eine aktive Fläche von 10 x 10 mm². Die Empfindlichkeit beträgt 3 A/W, die Anstiegszeit typ. 4 µs.
A QE 617
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