Dank einer höheren Auflösung bei der Bildaufnahme und Materialcharakterisierung sowie einer schnelleren Materialbearbeitung verbessert Zeiss Crossbeam 550 die 3D-Analytik und Probenpräparation bei FIB-Rems (Fokussierter Ionenstrahl Rasterelektronenmikroskope). Nanostrukturen – zum Beispiel in Verbundwerkstoffen, Metallen, Biomaterialien oder Halbleitern – können gleichzeitig mit analytischen und bildgebenden Methoden untersucht werden. Proben können simultan modifiziert und beobachtet werden, was in schneller Probenpräparation und hohem Durchsatz resultiert, zum Beispiel bei der Anfertigung von Querschnitten, TEM-Lamellen oder beim Nanopatterning.
Der neue Tandem-Decel-Modus ermöglicht eine Maximierung des Bildkontrasts bei niedrigen Landeenergien. Mit der Gemini-II-Elektronenoptik werden optimale Auflösung bei Niederspannung und gleichzeitig hohem Strahlstrom erreicht. Die FIB-Säule kombiniert den höchsten verfügbaren FIB-Strom von 100 nA mit dem neuen Fastmill-Modus. Damit wird eine hochpräzise und effizientere Materialbearbeitung bei gleichzeitiger Bildgebung ermöglicht.
Der neue Prozess für automatisierte „Emission Recovery“ erhöht die Bedienerfreundlichkeit und optimiert die FIB-Säule zusätzlich für reproduzierbare Ergebnisse bei Langzeit-Experimenten. Das Mikroskop ersetzt das Vorgängermodell Crossbeam 540 und ist in einer Variante mit großer Probenkammer verfügbar.
Carl Zeiss Microscopy, Jena
Halle 4, Stand 4302
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