Bei einer Wellenlänge von 13,5nm (EUV oder Soft-X-Ray) können feinste Strukturen von etwa 30nm auf Halbleiter-Chips in lithografischen Verfahren hergestellt werden.
Die neue C4880–50-EUV digitale CCD-Kamera wurde für den direkten Nachweis von EUV-Strahlung zwischen 12nm und 14nm entwickelt. Es stehen wahlweise zwei Back-Thinned-CCD-Chips mit Auflösungen von bis zu 1252×1152 Pixeln und Full-Well-Kapazitäten von bis zu 450.000 Elektronen zur Verfügung. Die effektiven Flächen betragen 13x13mm2 oder 28x26mm2. Die Quanteneffizienz beträgt für beide Varianten 40% zwischen 12 und 14nm. Der maximale Dynamikumfang der Kamera liegt bei 16Bit.
Die Kamera wird mit einem genormten Vakuum-Flansch geliefert und kann somit einfach an eine bestehende EUV-Vakuumkammer angeschlossen werden. Die Verbindung zum Computer erfolgt über einen Standard RS-422 Frame Grabber.
QE 538
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