LEXT OLS3000IR heißt das neuste Olympus Modell aus der Reihe der Nah-Infrarot-Mikroskope für die Silicium-Inspektion. Das konfokale Laser-Scanning-Mikroskop wurde speziell für die zerstörungsfreie, hochauflösende Beobachtung des Inneren von Silicium-Wafern, IC-Chips, MEMS sowie anderer Bauteile entwickelt und verfügt über einen 1310-nm-Laser. Die Komponenten lassen sich damit buchstäblich durch das Silicium hindurch betrachten.
Die Halbleiter-Packaging-Technologie entwickelt sich derzeit enorm schnell weiter. Viele Komponenten – und sogar Schaltkreise – werden heute auf engstem Raum angeordnet. Hier setzt das neue Olympus LEXT OLS3000IR an: Es ergänzt die Silicium-Imaging-Systeme MX (invers) sowie BX2M und BXFM (aufrecht) und verwendet einen Infrarotlaser, um Eigenschaften zu beleuchten, die mit den Methoden der gewöhnlichen Lichtmikroskopie nicht mehr geprüft oder analysiert werden können, ohne dabei die Probe zu zerstören.
Olympus Deutschland, Hamburg
QE 520
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